ნახევარგამტარული და ფოტოელექტრული მრეწველობისთვის საჭირო ნედლეულის დიდი რაოდენობა - მონოკრისტალური სილიციუმი, მონოკრისტალური სილიკონის მასალები მზადდება და იწარმოება სპეციალური აღჭურვილობით "მონოკრისტალური სილიციუმის კრისტალური ზრდის ღუმელი". რაფა“, ასევე ცნობილი როგორც ჩოქრალსიკის მეთოდი.
როდესაც ერთკრისტალური სილიციუმი მზადდება ჩოხრალსკის მეთოდით, მაღალი სისუფთავის პოლიკრისტალური სილიციუმი ჩადის კვარცის ჭურჭელში და დნება სილიკონის ერთკრისტალურ ღუმელში; შემდეგ სათესლე ბროლის ლილვზე დამაგრებული სათესლე კრისტალი ჩასმულია ხსნარის ზედაპირზე და თესლის ბროლი და ხსნარი ერწყმის. შემდეგ ნელა აწიეთ სათესლე ბროლი და კრისტალი წარმოიქმნება თესლის ბროლის ქვედა ბოლოს. ჩვენი კომპანია აწარმოებს მოლიბდენის წონებს, ვოლფრამის მავთულის თოკებს, მოლიბდენის საყრდენებს, მოლიბდენის ჭანჭიკებს და სხვა მოლიბდენის პროდუქტებს, რომლებიც გამოიყენება ერთკრისტალური ღუმელების გამწევ სისტემებში.
